据外电报道，通过将温度降低到负451华氏度，IBM和Georgia Tech将一个芯片的时钟频率提高到了500GHz，这也是硅芯片时钟频率的新记录。
这次试验是一个探索硅锗芯片速度极限项目的一部分。硅锗芯片与标准硅芯片相似，但它包含有锗，能够提高芯片性能，降低芯片能耗。但是，增加锗会提高生产晶圆片和芯片的成本，因此硅锗芯片只应用在少数市场上。自1998年起，IBM已经销售了数亿个硅锗芯片，但手机产业每年消耗的传统硅芯片多达数十亿。(锗也进入了标准硅芯片中:英特尔在其处理器芯片中添加了少量锗元素。)
在室温下，IBM-Georgia Tech芯片的时钟频率为350GHz，远远高于标准的PC处理器芯片。但在更低的温度中，锗芯片能够获得更高的性能。IBM和Georgia Tech的科学家将温度降低到了负451华氏度。绝对零度是负459华氏度。
研究人员表示，从理论上说，硅锗芯片的时钟频率能够达到1百亿赫兹。
高性能硅锗芯片能够被应用在军用系统、太空飞船、遥感产品中。
