ARM与联华电子公司(“联电”)，一家全球领先的半导体代工厂，今天宣布的55nm新ARM®Artisan®物理IP解决方案的可用性，加速ARM的开发基于处理器的嵌入式系统和物联网(IOT)的应用程序。
“通过提供优化目标能效，ARM与联电所提供的SoC设计者提供了一整套新工具的功能库。”
联华电子的55纳米超低功耗制程(55ULP)技术正在成为节能物联网应用的理想解决方案。新的物理IP产品将使芯片设计团队，以加快并简化基于ARM的SoC设计的物联网和其他嵌入式应用带来向上。
对于许多能源受限的应用，最大限度地延长电池寿命，是一个成功的设计至关重要。工匠物理IP平台，将提升ULP技术从联华电子的意图，最大限度地提高能源效率和减少泄漏。功能，如厚栅氧化层的支持和长期，多渠道库选项给SoC设计多种工具来帮助优化物联网的应用。
“一个完整的物理IP基础平台，在联电的55ULP工艺技术是实现低功耗和新兴的物联网应用成本敏感的设计是至关重要的，”威尔修道院，总经理，物理设计组，ARM表示。 “通过提供优化目标能效，ARM与联电所提供的SoC设计者提供了一整套新工具的功能库。”
“物联网芯片设计者们被要求在更多的权力受限的环境中提供更高集成度的解决方案，以及更迅速，”施钦霖，IP开发和设计支持部门的联华电子高级主管。 “联电拥有铸造行业最强大的物联网专用的55纳米技术平台，通过综合性极强的IP资源支持，以解决”总是在物联网产品的“超低功耗的要求。我们55ULP平台增加了工匠物理IP立即增加工具的广度，我们可以提供，以减少复杂性和上市时间。
工匠库将支持：
•在0.9V的超低电压域，从而节省高达44%的动态功耗和25%的泄漏功率相比于1.2V域操作
•多VTS多通道库提供SoC设计人员泄漏和性能选项。长信道的库可用于高达80%的进一步减少泄漏。电源管理工具包(PMK)使主动和泄漏功率缓解。
•创新的厚栅氧化层库将可以显着降低泄漏(350X低于常规标准单元)的总对细胞。此库的较高电压(包括在物联网设备中使用的电池电压)进行接口的能力也可提供否定需要一个电压调节器的优点。
•新一代高密度存储编译器提供多种集成的电源模式来保存状态，同时尽量减少待机泄漏。利用这些模式将允许时相比，经常待机的SoC设计人员能够实现低高达95%的渗漏。
对于55ULP联电为基础的物理IP ARM通过公司的DesignStart门户网站立即可用。
