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移动芯片工艺制程大比拼

放大字体  缩小字体 发布日期:2014-02-26 11:03:16    来源:电子设计技术    浏览次数:113    评论:0
导读

  在移动通信芯片领域,高通是第一家量产了28nm制程的移动芯片厂商,2013年是28nm制程的普及年,除了联芯和展讯还在使用40nm制

  在移动通信芯片领域,高通是第一家量产了28nm制程的移动芯片厂商,2013年是28nm制程的普及年,除了联芯和展讯还在使用40nm制程外,其余各家移动通信芯片厂商都不约而同的使用了28nm制程。目前28nm制程主要有两个工艺方向:HighPerformance(HP,高性能型)和LowPower(LP,低功耗型)。

  LP低功耗型是最早量产的,不过它并非Gate-Last工艺,还是传统的SiON(氮氧化硅)介质和多晶硅栅极工艺,优点是成本低,工艺简单,适合对性能要求不高的手机和移动设备。HP才是真正的HKMG+Gate-Last工艺,又可细分为HP、HPL(LowPower)、HPM(Moblie)三个方向。HP工艺拥有最好的每瓦性能比,频率可达2GHz以上;HPL的漏电流最低,功耗也更低;HPM主要针对移动领域,频率比HPL更高,功耗也略大一些。

  而世界前几大专业集成电路制造服务公司,包括TSMC、GF、Samsung和Intel,为各芯片厂商提供芯片制造支撑的同时,暗地里也展开了一场角逐。Intel一直是以技术领先为导向的,虽然自己的CPU在移动通信领域不太受欢迎,但其最先使用HKMG+Gate-Last工艺,又最先量产3D晶体管,其制程领先对手可以按代来计算,目前移动通信领域与Intel展开合作的公司不是太多。

 
(文/小编)
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