面对蒸蒸日上的NAND型闪存市场，台湾内存制造商有些坐不住了，纷纷宣布要进入该市场。台湾DRAM制造商南亚（Nanya）、力晶科技（Powerchip）和茂德科技（ProMos）在过去已经宣称要进入NAND型闪存市场，不过没有见到什么实质行动。因为台湾本土厂商缺少NAND型闪存专利和技术，他们注定是该市场的后来者。
因而台湾厂商会使用更安全的闪存代工策略。尽管没有太多事前的声张，不过目前至少有两个台湾厂家想通过这个途径进入市场。
今年早些时候，力晶科技获得瑞萨科技的授权，销售后者的NAND型闪存。瑞萨早就表示，这会为NAND型闪存市场带来变数。不过更大的进展来自内存制造专家茂德科技，该公司宣称已经进入“试产”阶段，很可能是台湾首款拥有自主知识产权的NAND型闪存产品。
茂德科技的1GB闪存使用自己的设计，基于130纳米工艺。根据Gartner Inc.的报道，该产品将在该公司位于新竹的8英寸芯片厂制造。当然，技术远远落后当前的竞争对手，不过茂德科技已经计划加快其研发步伐以便早日赶上对手。
Gartner的分析师Ben Lee在一份报告中写到：“茂德并没有计划在2007年上半年之前量产130纳米NAND型闪存芯片。根据市场需要，茂德会发布在其12英寸晶圆厂用亚60纳米工艺生产的容量超过16GB的芯片。”
茂德科技的第二间12英寸晶圆厂去年正式投入生产。该公司表示第三间12英寸工厂已经提上议事日程，Lee认为极可能是作生产NAND型闪存之用。不过这间工厂最有可能是拿来生产DRAM。Lee表示，该公司计划在2008年在该厂使用60纳米技术生产基于其合作伙伴海力士半导体的DRAM产品。
另外一家DRAM制造商力晶最近宣布，它获得瑞萨的授权协议。协议包括瑞萨的AD-AND型闪存的技术和销售权。该协议同时授权力晶可以使用自用品牌出售AG-AND型闪存。
力晶也已经在代工方面展开了行动。今年1月份，该公司表示将会购买旺宏电子的一间12英寸晶圆厂，以便缓解高密度数据闪存不断增长的需求。旺宏电子的该工厂没有设备，不过是按月产3.5万片晶圆设计的，售价为1.66亿美元。作为协议的一部分，旺宏电子和力晶将会在将来的闪存开发上组成伙伴关系，包括那些在力晶用90纳米技术代工的闪存。
DRAM制造商南亚在过去几个月一直表示要进入NAND型闪存市场。不过目前为止，该公司还没有透露过它的计划。
不过无论如何，台湾制造商能否面对海力士、IM Flash、三星、东芝和其他NAND型生产厂家的竞争仍是未知之数。不过，如果像DRAM一样，台湾厂家应该可以争得一席之地。或者，考虑到目前NAND型闪存市场糟糕的价格趋势，台湾投机主义者们或者可以考虑适当推迟进入市场的日期。
