金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)领域的革新，多少弥补了这个成熟产品领域缺乏技术创新的现状。这些革新有益于促使将分立功率半导体引入新应用，并且探索新的终端用户市场机会。
根据Frost & Sullivan日前发布的全球分立功率半导体市场调查，2005年该市场年收入为104.9亿美元，预计2009年将发展到144.2亿美元。Frost & Sullivan高级研究分析员Bonnie Varghese K表示，“汽车中电子产品逐渐增加，以及通信和电子玩具市场火爆都对分立功率半导体销售带来积极影响。行业经历了一次完整的复苏过程，并且预计未来几年增长还将持续。”
消费电子、通信技术和汽车市场销售增长推动了分立功率半导体市场，尤其在亚洲市场，这些应用贡献了分立功率器件年销售收入的一半以上。
尽管终端用户市场出现增长，但半导体闸流管、整流器和双极晶体管缺乏技术革新。由于没有明显的技术进步，产品无差别化导致部分制造商已开始放弃这些产品。另外，制造商为了增加销售量压低价格，经常导致收入负增长或者零利润。仅仅少量公司在整流器研发中进行投资，并且这些公司也没有承诺长期投资开发。
Varghese解释，“通用整流器市场急剧下滑，但肖特基整流器很有可能实现增长。尽管有将整流器功能集成到其他功率半导体的趋势，但一些终端用户声称这样会对分立器件的效率带来消极影响。”
由于在制造过程和效率方面不断改进，MOSFET和IGBT的性能已经有了很大提高。通过减少漏源电阻(drain-source resistance)、提供低传导损耗、更高功率级别、更快速转换速度，更低转换损耗和更小的封装尺寸，应用和设计人员不断提高这些器件的性能表现。在低价格和附加功能帮助下，MOSFET和IGBT增加和保持了市场份额。
