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中国大陆半导体分立器件出口持续增长

放大字体  缩小字体 发布日期:2006-11-28 08:49:00    来源:媒体    浏览次数:213    评论:0
导读

    据海关总署统计,中国大陆半导体分立器件2001~2005年出口额从13.76亿美元增长到42.49亿美元,年复合增长率达32.5%;进口额从37.32亿美元增长到112.47亿美元,年复合增长率为31.7%,均稍低于出口增长率。    &nb

    据海关总署统计,中国大陆半导体分立器件2001~2005年出口额从13.76亿美元增长到42.49亿美元,年复合增长率达32.5%;进口额从37.32亿美元增长到112.47亿美元,年复合增长率为31.7%,均稍低于出口增长率。  

    2005年出口额增长速度达29.9%,预计2006年可达35.2%,而进口额增长速度2005年仅为15.2%,预计2006年将降到10.7%,并将逐年下降。这说明中国大陆半导体分立器件的生产和出口能力在逐年提升。 

    据信息产业部统计,中国大陆半导体分立器件的产量从2001年的500亿只左右增长到2005年的2,063亿只,年复合增长率达42.5%,预计2006年的产量将达2,696亿只,同比增长30.7%。这种持续高速增长的动力主要是中国大陆电子整机产量近几年以20%以上的速度增长。2006年1~8月份,移动手机、微型计算机、显示器、数码相机产量分别比2005年同期增长了60.4%、32.1%、49.4%和36.0%,半导体分立器件产量也相应同比增长41.9%。  

    中国大陆半导体分立器件市场需求虽然不断增长,但是进口产品一直占据主导地位,2005年占中国总市场的85.4%,预计2006年要占到八成。据海关总署统计,2006年1~8月份中国大陆半导体分立器件累计出口总额为38.29亿美元,同比增长46.8%,而累计进口总额为83.04亿美元,同比增长20.8%。进出口金额逆差为44.75亿美元,进口额仍远大于出口额。其中进出口额逆差较大的分别是耗散功率小于1瓦的晶体管、二极管和耗散功率1瓦及以上的晶体管,分别为11.16、8.52和6.48亿美元。 

    2006年1~8月份中国大陆半导体分立器件累计进口额较大的是光敏半导体器件,发光二极管、耗散功率小于1瓦的晶体管及二极管分别为19.09亿美元、16.05亿美元和14.14亿美元,增长较快的是耗散功率1瓦及以上的晶体管、耗散功率小于1瓦的晶体管和已装配的压电晶体,分别为28.2%、22.8%和20.9%。累计出口额较大的是光敏半导体器件,发光二极管、二极管和已装配的压电晶体分别为14.85亿美元、5.62亿美元、5.23亿美元;增长较快的是光敏半导体器件,发光二极管、半导体开关元件和耗散功率1瓦及以上的晶体管,分别为105.6%、49.7%和40.0%。 
 
(文/小编)
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