日前，IBM宣布在制造环境中实现了一种突破性的芯片堆叠技术，此举为制造三维芯片扫清了障碍，摩尔定律也将因此而突破原来预期的极限。这种被称为“穿透硅通道（through-siliconvias）”的技术可以大大缩小不同芯片组件之间的距离，从而设计出速度更快、体积更小和能耗更低的系统。
IBM的这项突破实现了从二维芯片设计到三维芯片堆叠的转变，将传统上并排安装在硅圆片上的芯片和内存设备以堆叠的方式相互叠加在一起，最终实现了一种紧凑的组件层状结构，大大减小了芯片的体积，并提高了数据在芯片上各个功能区之间的传输速度。
IBM半导体研发中心副总裁LisaSu表示：“这一突破性的进展是IBM开展十多年探索研究的成果。我们可以将三维芯片从实验室走向制造生产环节，来支持各种各样的应用。”
这种IBM新方法是依靠新的穿透硅通道技术而非长金属电线来连接目前的二维芯片，这实际上是在硅圆片上蚀刻出来的垂直连接通道，并在其中注满金属。这些通道可以使多个芯片堆叠在一起，同时支持芯片之间更大信息量的传输。
这项工艺将信息在芯片上传输的距离缩短了1000倍，与二维芯片相比可以增加最多100倍的信息通道或路径。
IBM已经在自己的生产线上运行使用这种穿透硅通道技术的芯片，并将在2007年下半年开始为客户提供使用这种方法制造的芯片样本，同时在2008年投入生产。这种穿透硅通道技术最早将被用于无线通信芯片领域，这些芯片将被安装在无线LAN和蜂窝应用所使用的功率放大器之中。另外，三维技术也将应用于更广泛的芯片应用领域，包括目前那些运行在IBM高性能服务器和超级计算机中的芯片，这些服务器和超级计算机支持着全球的商业活动、政府和科学研究工作。
